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IPD053N06N3G |
TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 | Infineon Technologies | 168 | 电话:0755-83217923 询价QQ: ![]() |
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IPD053N06N3G参数 产品类别:分立半导体产品-FET - 单 说明:MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3 包装数量:2500 包装形式:带卷 (TR) PDF资料下载: ![]() FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压 (Vdss):60V 电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):90A 不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):5.3 毫欧 @ 90A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 58µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):82nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):6600pF @ 30V 功率 - 最大值:115W 安装类型:表面贴装 |
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热门型号: 圆形DL68G22-12S7-6106 通孔电阻器CMF6032K700BHEK 接口 - 模拟开关DG411DVZ 圆形DJT16F21-11PA 功率,高于 2 安G8NW-2DC12 嵌入式 - DSPADSP-2186NBSTZ-320 Card EdgeECM25DCCS 圆形DL68G22-12S6-6106 共模扼流圈DKLP-0231-0540 FET - 阵列BSD235CL6327 |