| 型号 | 封装 | 厂家 | 数量 | 咨询价格 | 在线订购 |
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IPD053N06N3G |
TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | Infineon Technologies | 168 | 鐢佃瘽锛�0755-83217923 询价QQ：  |
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IPD053N06N3G参数 产品类别：分立半导体产品-FET - 单 说明：MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3 包装数量：2500 包装形式：带卷 (TR) PDF资料下载：  PDF文档FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压 (Vdss)：60V 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：90A 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：5.3 毫欧 @ 90A，10V 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 58µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：82nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：6600pF @ 30V 功率 - 最大值：115W 安装类型：表面贴装 |
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热门型号： 接口 - 语音录制ISD17180SYI01 铝电容器B43601B2128M 跳线，预压接线H3BBT-10105-N6-ND 测试探头尖126005R 陶瓷电容器UMK105CH181KV-F 圆形MS3126E12-10P SAW 滤波器SF1056A TVS - 晶闸管TVB065NSA-L FET - 单IPI041N12N3G 逻辑 - 栅极和逆SN74BCT540AN |
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